·SRAM: son las siglas de
la voz inglesa Static Random Access Memory, que significa memoria estática de
acceso aleatorio (o RAM estática), para denominar a un tipo de tecnología de
memoria RAM basada en semiconductores, capaz de mantener los datos, mientras
siga alimentada, sin necesidad de circuito de refresco. Este concepto surge en
oposición al de memoria DRAM (RAM dinámica), con la que se denomina al tipo de
tecnología RAM basada en condensadores, que sí necesita refresco dinámico de
sus cargas
· Volátiles.
· No volátiles:
· NVRAM: La memoria de
acceso aleatorio no volátil, referida a veces por sus siglas en inglés NVRAM
(Non-Volatile Random Access Memory) es un tipo de memoria de acceso aleatorio
que, como su nombre indica, no pierde la información almacenada al cortar la alimentación
eléctrica.
· MRAM: (MRAM
Magnetorresistiva o magnética) (en inglés: Magnetoresistive Random-Access
Memory) es un tipo de memoria no volátil que ha estado en desarrollo desde los
años 90. El desarrollo continuado de la tecnología existente, principalmente
Flash y DRAM, han evitado la generalización de su uso, aunque sus defensores
creen que sus ventajas son tan evidentes que antes o después se convertirá en
la tecnología dominante para todos los tipos de memorias.
· DRAM: Son las siglas de la
voz inglesa Dynamic Random Access Memory, que significa memoria dinámica de
acceso aleatorio (o RAM dinámica), para denominar a un tipo de tecnología de
memoria RAM basada en condensadores, los cuales pierden su carga progresivamente,
necesitando de un circuito dinámico de refresco que, cada cierto período,
revisa dicha carga y la repone en un ciclo de refresco. En oposición a este
concepto surge el de memoria SRAM (RAM estática), con la que se denomina al
tipo de tecnología RAM basada en semiconductores que, mientras siga alimentada,
no necesita refresco.
·FPM RAM: Siglas de Fast Page Mode, memoria en modo paginado, el
diseño más común de chips de RAM dinámica. El acceso a los bits
de memoria se realiza por medio de coordenadas, fila y columna. Antes del modo
paginado, era leido pulsando la fila y la columna de las líneas seleccionadas.
Con el modo pagina, la fila se selecciona solo una vez para todas las columnas
(bits) dentro de la fila, dando como resultado un rápido acceso. La memoria en
modo paginado tambien es llamada memoria de modo Fast Page o memoria FPM, FPM
RAM, FPM DRAM. El término "fast" fué añadido cuando los más nuevos
chips empezaron a correr a 100 nanoseconds e incluso más.
·EDO RAM: Siglas de Extended Data Output, un tipo de chip de RAM
dinámica que mejora el rendimiento del modo de memoria Fast Page alrededor de
un 10%. Al ser un subconjunto de Fast Page, puede ser substituida por chips de
modo Fast Page.Si el controlador de memoria no está diseñado para los más
rápidos chips EDO, el rendimiento será el mismo que
en el modo Fast Page.EDO elimina los estados de espera manteniendo activo el
buffer de salida hasta que comienza el próximo ciclo.
·SDRAM: Memoria de acceso aleatorio dinámico síncrono ( SDRAM ) es la
memoria de acceso aleatorio dinámico (DRAM) que se sincroniza con el bus del
sistema . Classic DRAM tiene una interfaz asíncrona, lo que significa que
responde tan rápidamente como sea posible a los cambios en las entradas de
control.
· DDR SDRAM: Memoria síncrona, envía
los datos dos veces por cada ciclo de reloj. De este modo trabaja al doble de
velocidad del bus del sistema, sin necesidad de aumentar la frecuencia de
reloj. Se presenta en módulos DIMM de 184 contactos en el caso de ordenador de
escritorio y en módulos de 144 contactos para los ordenadores portátiles. Tasa de transferencia en MB/s = (Frecuencia DDR efectiva)
x (64 bits / 8 bits por cada byte).
· DDR2 SDRAM :Double Data Rate Type Two SDRAM o SDRAM de tasa de
datos doble de tipo dos).El protocolo de bus también se simplificó
para permitir la operación de mayor rendimiento. (En particular, la
"ráfaga terminar" se elimina de comandos.)
Tenga en cuenta que debido a las operaciones internas se
encuentran en medio de la velocidad de reloj, memoria DDR2-400 (tasa interna de
reloj de 100 MHz) tiene latencia algo superior a DDR-400 (tasa interna de reloj
de 200 MHz).
· DDR3 SDRAM :Double Data Rate type three SDRAM o SDRAM de tasa de
datos doble de tipo tres).DDR3 continúa la tendencia, duplicando el mínimo de
lectura o escritura en la unidad a 8 palabras consecutivas. Esto permite otra
duplicación de la velocidad de bus sin tener que cambiar la velocidad de reloj
de las operaciones internas. Para mantener las transferencias de 800-1600 Mb/s,
la matriz RAM interna tiene que realizar sólo 100-200 millones de accesos por
segundo.
· DDR4 SDRAM: (Double Data Rate type four SDRAM o SDRAM de tasa
de datos doble de tipo cuatro).Los módulos de memoria DDR4 SDRAM
tienen un total de 288 pines DIMM.2 3 La velocidad de datos por pin, va de un
mínimo de 1,6 GT/s hasta un objetivo máximo inicial de 3,2 GT/s.4
Las memorias
DDR4 SDRAM tienen un mayor rendimiento y menor consumo que las memorias DDR
predecesoras.5 Tienen un gran ancho de banda en comparación con sus versiones
anteriores.
